太阳中微子失踪案和中微子振荡

 (续前)五、“中微子振荡”是物理学家的法宝按照粒子物理的标准模型,中微子质量为零,它们以光速运动。存在着3种不同类型(即3种“味”)的中微子:电子型中微子(记为νｅ),μ-中微子(记为νμ)和τ-中微子(记为ντ),它们之间彼此不相关,分别只同电子、μ轻子和τ轻子密切相关。不过,早在戴维斯等人公布首批氯探测器的探测结果的1968年,庞托科沃就提出了这3种“味”的中微子很有可能互相来回地转化,称为“中微子振荡”。在太阳内部的热核燃烧过程中产生的中微子都是νｅ。但它们在从太阳到地球的漫长行进过程中,νｅ不断地转化为νμ和ντ。     

Thermal Rate Constants of the N（^4S）＋O2（X^3∑g^-） → NO（X^2Ⅱ） ＋O（^3P） Reaction on the ^2A′ Potential Energy Surface

A quasiclassical trajectory study with the sixth-order explicit symplectic algorithm for the N（^4S）＋O2（X^3∑g^-） → NO（X^2Ⅱ） ＋O（^3P） reaction has been reported by employing a new ground potential energy surface. We have discussed the influence of the relative translational energy, the vibrational and rotational levels of O2 molecules on the total reaction cross section. Thermal rate constants at temperatures 300, 600, and 1000 K determined in this work for the reaction are 4.4 × 10^7, 1.8 × 10^10, and 3.1 × 10^11 cm^3mol^-1s^-1, respectively. It is found that they are in better agreement with the experimental data than previous theoretical values.     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

第二讲信息的产生与获得(下)

新的科学信息、发现自然规律，是科学研究永恒的主题．近代科学诞生之后的200年间，物理学已经形成了自身的传统，任何理论都必须接受实验的检验，理论导出的结果必须与以科学手段获得的自然信息一致，准确的自然信息在科学发展中起着决定性作用。人类活动每迈出新的一步，都会面临获取自然信息的新问题．在科学和技术领域前沿工作的科技工作者，随时关注着新的科学发现和技术发明，以创造性的智慧努力使它们用于获取更多的信息。     

哪些发现在100年后仍具有影响力

1905年爱因斯坦的4篇著名文章，在100年后的今天仍然具有强大的生命力，人们不禁要问，近期的哪些发现在2105年仍然不会被人遗忘？最近，《Physics World》的记者向一些活跃在物理学前沿的科学家提出了上述问题。     

中国科学院超快现象和太赫兹辐射学术研讨会简讯

“中国科学院超快现象和太赫兹辐射学术研讨会”于 2 0 0 2年 7月 2 2日至 2 5日在北京中国科学院物理研究所举行 .本次会议由中国科学院主办 ,中国科学院物理研究所承办 ,中国科学院上海微系统与信息技术研究所、美国伦斯勒理工学院共同协办 .会议的三位主席分别是物理所张杰研究员、美国伦斯勒理工学院的张希成教授和上海微系统与信息技术研究所的封松林研究员 .物理所的翁羽翔研究员担任会议秘书长 .这次大会是我国在超快现象和太赫兹辐射领域组织的第一次专业学术会议 ,是对国内在超快现象和太赫兹辐射领域研究水平的一次较全面的检阅 .…     

南京航空航天大学应用物理系

南京航空航天大学应用物理系有36人，其中教授8人，拥有博士学位教师24人。现有“凝聚态物理”二级学科和“光学工程”一级学科等学科的博士学位授予权，“物理学”和“光学”工程等一级学科、“物理电子学”和“光学工程”工程硕士专业领域等硕士学位授予权，以及“应用物理学”本科专业。     

Formation of Interfacial Layers in LaAlO3/Silicon during Film Deposition

We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.     

对光电效应实验装置的剖析

光电效应是物理学中一个重要课问题，也是近代物理学几个重大的实验之一．一般物理学教材均要介绍光电效应．但是，在众多的教材中，对光电效应实验装置图的引入存在差异，有些有失科学性，因而引起广大物理学教育工作者的关注．